Características:
Tipo de entrada: DC
Voltaje colector-emisor máximo: 80 V
Voltaje de saturación colector-emisor máximo: 0.4 V
Voltaje de aislamiento: 5000 Vrms
Ratio de transferencia de corriente: 50 %
Voltaje directo de diodo máximo: 1.4 V
Disipación de energía máxima: 200 mW
Temperatura operativa máxima: + 110 C
Temperatura operativa mínima: - 55 C
Empaquetado / Estuche: DIP-6
Serie: TIL11X
Empaquetado: Tube
Corriente directa: 16 mA
Tiempo de caída máximo: 10 us
Voltaje inverso de diodo máximo: 6 V
Tiempo de establecimiento máximo: 10 us
Número de canales por chip: 1 Channel
Dispositivo de salida: NPN Phototransistor
Tipo de salida: DC